科技实力是国家综合实力的重要体现，是支撑经济社会发展重要力量。近年来，随着数字化时代的到来，我国航空航天、新能源、电子信息、轨道交通等战略性产业的升级促使先进技术中的半导体技术含量与日俱增，SiC/GaN等第三代半导体材料水涨船高，成为时下最火热的发展领域之一。为全面梳理第三代半导体行业的发展现状、面临的瓶颈以及技术突破的方向， 由半导体行业巨头英飞凌科技大中华区组成的技术专家团队于2022年9月1日访问浙江大学杭州国际科创中心（以下简称科创中心），并于当日下午在科创中心举行了英飞凌-浙江大学-技术研讨会，浙江大学吴新科教授、浙江大学郭清副教授、浙大百人研究员杨树老师、科创百人陈烨楠研究员、联盟闫海东副研究员参加会议。

上午，吴新科教授与陈烨楠研究员陪同英飞凌技术专家团先后参观科创中心、先进半导体研究院以及应用测试实验室。向英飞凌的技术专家们介绍了科创中心的发展模式、研究概况、重点研究课题，并参观先进半导体研究院和封装测试超净间。最后，英飞凌技术专家团参观了应用测试实验室，对各位同学研究的课题进行了解并展开讨论。

下午，围绕碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)目前发展现状、发展瓶颈及未来展望，双方各抒己见，在技术研讨会上展开了充分而又深刻的讨论。

吴新科教授在致辞中首先对英飞凌技术专家团的来访表示热烈欢迎，展开介绍了先进半导体研究院的平台科研方向、封装测试实验室的研究成果，详细介绍了电源联盟的目标愿景、成员单位和运行模式。随后，英飞凌大中华区工业功率控制事业部首席工程师郝欣博士介绍英飞凌的功率器件产品；汽车电子事业部首席工程师李鹏分享了SiC在汽车市场的应用场景，碳化硅和硅基器件的应用场景和优势；电源与传感系统事业部应用市场总监程文涛介绍GaN在市场的发展历程。

介绍完后，双方就平面型的氮化镓器件和碳化硅器件的差异、垂直型GaN当下研究状况和未来趋势、低压硅器件在高频上遇到的问题等，和学生们进行热烈讨论。

目前，以碳化硅等为代表的第三代半导体材料和器件已在世界范围内蓬勃发展，并成为我国科技角力的新战场。此次研讨会，进一步明晰半导体材料产业的脉络，找准半导体材料产业发展的难点和痛点，寻求半导体产业发展的新动力，协同推动我国半导体技术向更快、更智、更强发展。