4月26日，高可靠超高频GaN基变换技术研讨会在杭州金溪山庄顺利召开。浙江大学电力电子应用技术国家工程研究中心副主任年珩教授、应用电子学系系主任张军明教授、吴新科教授、香港科技大学张薇葭教授、横店东磁王朝明、英诺赛科孙涛以及30余位研究生参加了会议。

吴新科教授主持本次会议，对参会嘉宾表示欢迎并介绍了项目基本情况。他介绍到，本次会议基于国家重点研发计划战略性科技创新合作项目“10MHz 高可靠性 GaN 基高密度电源关键技术”，旨在促进项目合作团队间的技术协同与资源共享，共同助力我国电力电子领域的前沿技术探索。

年珩教授代表浙江大学电气工程学院致辞，对本项目的实施提出了殷切期望，面向快速跃升的超算中心供电需求和挑战，项目团队汇聚大陆与香港的优势科研力量，聚焦超高频GaN器件与电源模块领域，响应国家在高算力基础设施建设中的战略需求、深化内地与香港科技合作的战略部署，力图突破关键核心技术瓶颈。

香港科技大学张薇葭教授代表陈敬教授团队向浙江大学的邀请表示感谢。她表示香港科技大学陈敬教授团队在GaN器件机理研究与可靠性方面的优势与浙江大学吴新科教授团队在高频变换技术领域积淀深厚，强强联合优势互补，期望能在本次研讨会能深入探讨，共同助力电力电子器件与应用领域的科研进步与产业发展。

26日上午共进行五场技术报告，来自浙大与港科大的研究生从GaN器件栅极可靠性提升、阈值电压测试与表征、动态电阻测试与表征、10MHz DC-DC设计、10MHz谐振驱动设计等主题作了精彩报告。报告结束后，参会代表踊跃讨论、充分交流，对技术难点进行详细地讨论。

下午，项目团队召开圆桌会议，对当前项目的进度、计划与中港互访交流等进行讨论，团队成员进行了热烈的讨论，明确了后续课题开展的任务与分工合作，确保项目顺利完成。

       最后，吴新科教授带领团队参观了电力电子实验室，介绍了基于低压GaN器件的高效高密度元胞化技术等课题，港科与浙大的研究生们分别从器件与应用的视角展开充分讨论。

通过本次研讨会，搭建起跨领域、多主体的深度交流平台：让内地与香港的学生们在交流中拓展视野，提升能力；让来自器件、材料、电源等不同领域的专家学者们深入探讨，碰撞思想；以开放中分享智慧，在协作中凝聚力量，共同推动我国电力电子器件与应用领域的科研进步与产业发展。