专利介绍：本专利基于一种芯片表面电极金属化铜缓冲层优化技术，使用铜带对芯片的功率源极进行直接键合引出，同时在DBC上进行控制极二次布线，利用布线层金属线阻为每颗芯片匹配合适的栅极电阻，旨在提高芯片表面互联层可靠性和降低芯片并联的电流过冲和分布不均，从而提升整个SiC功率模块的互联可靠性和高频应用场景中的动态性能。
专利的用途及优势：（1）金属化铜缓冲层与铜带键合方案消除了CTE不匹配带来的热机械应力；（2）铜带键合可改善芯片表面电流分布和温度分布，支持更高的工作结温；（3）采用可控电阻型栅极控制电路，使每个SiC功率芯片可以匹配到最优栅极电阻值，控制电流上升速率，降低了芯片并联不均流度；（4）金属烧结层增强热/电导率，降低热蠕变疲劳失效风险。