GaN高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）存在动态电阻退化的现象。在相同结温下，GaN器件在承受一段时间高压偏置后，再切换到开通状态，其实际的导通电压会高于DC值。在高频变换器应用中，由动态电阻退化带来的导通电阻增加现象将十分显著，这会大大增加器件的功率损耗，降低器件的工作效率，严重制约GaN功率的器件广泛应用。

GaN器件的动态电阻退化与许多不同的开关条件有关，比如关断漏源偏置电压（V_DSQ），负载电流（I_load），关断时间（T_stress），开关频率（f_SW）等等。目前PSIM的大部分研究集中于电力电子系统中，GaN实际的不同工作模态下，动态电阻的衰退现象；以及对不同技术路线的GaN器件，在不同工作场合下进行评估，以最大化地发挥器件的各种性能。