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可靠的短路和过流保护对于电力电子器件的可靠性而言至关重要。特别是相较于Si IGBT,SiC MOSFET的短路电流上升速度和峰值要大得多,因此短路电流可承受时间更短,更需要进行快速,准确的短路保护。本发明提出一种基于TMR传感器的短路及过流保护方案,将TMR传感器放置于1、3端子之间,可实现整个桥臂的过流保护,同时利用模块短路时1、3端子之间磁场相互叠加的特性实现对短路故障的提前预测。

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可靠的短路和过流保护对于电力电子器件的可靠性而言至关重要。特别是相较于Si IGBT,SiC MOSFET的短路电流上升速度和峰值要大得多,因此短路电流可承受时间更短,更需要进行快速,准确的短路保护。本发明提出一种基于TMR传感器的短路及过流保护方案,将TMR传感器放置于1、3端子之间,可实现整个桥臂的过流保护,同时利用模块短路时1、3端子之间磁场相互叠加的特性实现对短路故障的提前预测。
