当前，基于硅基功率器件的常规软钎料具有与硅器件相当的导热率、良好的工艺兼容性，且熔点通常低于300℃，它们满足器件结温小于150℃或125℃的硅基器件功率器件的可靠性要求。然而，对于结温大于175℃甚至200℃以上的高密度碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）功率器件，常规软钎料体系及其连接技术已面临高温可靠性、散热和焊接工艺兼容性方面的技术瓶颈。针对新一代车规级电机控制器高功率密度、高效率和高可靠的应用需求，研究了下一代低温铜烧结技术，实现了＜220℃低温烧结。

图1. 精细互连部分案例（XY精度控制＜±30 μm，Z方向厚度±3 μm）

开展了大功率SiC功率模块芯片并联集群多物理场封装架构技术研究，研制了基于全铜烧结的1200V-800A大功率SiC半桥模块，寄生电感＜3.5nH，电流非均衡度＜3%。

图2. 双面直冷SiC功率模块

研究方向：

1. 烧结银/铜精细互连方法及封装模块可靠性评估
2. Pin–Fin双面直冷碳化硅（SiC）功率模块集成技术
3. 耐高温&低电感高密度SiC、GaN电源模块3D异质集成技术探索
4. 高压SiC器件连接层电迁移行为及控制策略
5. 纳米铜无氧烧结控制方法及低温互连技术